Prom – найбільший маркетплейс України

2SC5801

Код: 00-00030788
В наличии
308.80 ₴
Карточка Rozetka
+5%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 500 ₴
Продавец Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
96%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 154 ₴/мес.
    Подробнее
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
2SC5801 - фото 1 - id-p3203181686

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Fair
Максимально допустимый ток коллектора8 А

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00030788
Коэффициент усиления по току (hfe)10..30
Напряжение коллектор база (VCBO)1500 В
Напряжение коллектор эмиттер ( VCEO)800
Напряжение эмиттер база (VEBO)6 В
Рассеиваемая мощность50 Вт
Тип транзистораNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5801 Транзистор биполярный

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
96% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

NCE0240 200V 40A 41mΩ@10V,20A 220W 4V 1 N-channel TO-220 MOSFETs
NCE0240 200V 40A 41mΩ@10V,20A 220W 4V 1 N-channel TO-220 MOSFETs
117.50 ₴
STB80NF55L-08-1 N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A
STB80NF55L-08-1 N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A
136.30 ₴
TTA1943(Q) 230V 80@1A,5V 150W 15A PNP TO-3P Bipolar (BJT)
TTA1943(Q) 230V 80@1A,5V 150W 15A PNP TO-3P Bipolar (BJT)
225 ₴
YGW50N65T1 N-канальний IGBT транзистор 650V 50A для инверторов и сварочных аппаратов
YGW50N65T1 N-канальний IGBT транзистор 650V 50A для инверторов и сварочных аппаратов
385 ₴
STW21NM60N MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.179 Ом
STW21NM60N MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.179 Ом
260 ₴
CRG40T60AN3H 280W 40A 600V TO-3PN IGBT Transistors
CRG40T60AN3H 280W 40A 600V TO-3PN IGBT Transistors
123.80 ₴
SSP3N80A МОП-транзистор:THT. N-Channel, 1 Channel, Uds,V: 800 V. Idd,A: 3 A. Rds(on), Ohm: 4,8.
SSP3N80A МОП-транзистор:THT. N-Channel, 1 Channel, Uds,V: 800 V. Idd,A: 3 A. Rds(on), Ohm: 4,8.
128.80 ₴
BDW93CFP Транзистор: NPN: биполярный: Дарлингтон: 100В: 12А: 80Вт:
BDW93CFP Транзистор: NPN: биполярный: Дарлингтон: 100В: 12А: 80Вт:
137.50 ₴
GT50JR22 Транзистор: IGBT: 600В: 44А: 115Вт
GT50JR22 Транзистор: IGBT: 600В: 44А: 115Вт
181.30 ₴
NCE40TD120VT IGBT + Diode, 468W, 1200V, 80A, TO247
NCE40TD120VT IGBT + Diode, 468W, 1200V, 80A, TO247
342.50 ₴
IRFP4229PBF MOSFET транзистор: N-канал, 250 В, 44 А
IRFP4229PBF MOSFET транзистор: N-канал, 250 В, 44 А
273.80 ₴
VN2410L-G МОП-транзистор, N Канал, 190 мА, 240 В, 10 Ом, 10 В, 2 В
VN2410L-G МОП-транзистор, N Канал, 190 мА, 240 В, 10 Ом, 10 В, 2 В
182.50 ₴
IRF7855PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 60 В: Rси(вкл): 9.4 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В: Qзатв: 26 нКл
IRF7855PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 60 В: Rси(вкл): 9.4 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В: Qзатв: 26 нКл
132.50 ₴
IRFB260NPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 200 В: Iс(25°C): 56 А: Rси(вкл): 40 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFB260NPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 200 В: Iс(25°C): 56 А: Rси(вкл): 40 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
211.30 ₴