Prom – найбільший маркетплейс України

2SK1350

Код: 00-00030979
В наличии
180 ₴
Карточка Rozetka
+5%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 500 ₴
Продавец Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
96%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
2SK1350 - фото 1 - id-p3203167549

Характеристики и описание

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00030979
Время нарастания (tr)30 ns
Выходная емкость (Cd)580 pf
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)45 W
Максимальная температура канала (Tj)150 °C
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id)15 A
Наименование прибора2SK1350
ПолярностьN
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs)20 V
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds)200 V
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)0.18 Ohm
Тип корпусаTO220IS
Тип транзистораMOSFET
2SK1350 Транзистор полевой MOSFET

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
96% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

DN2535N3-G Силовой МОП-транзистор, N Канал, 350 В, 120 мА, 17 Ом, TO-92, Through Hole
DN2535N3-G Силовой МОП-транзистор, N Канал, 350 В, 120 мА, 17 Ом, TO-92, Through Hole
157.50 ₴
IRG4P254SPBF IGBT 250V 98A 200W
IRG4P254SPBF IGBT 250V 98A 200W
356.30 ₴
BF966S N-Channel MOSFET, 20 V, 200 mW
BF966S N-Channel MOSFET, 20 V, 200 mW
271.30 ₴
SSP3N80A МОП-транзистор:THT. N-Channel, 1 Channel, Uds,V: 800 V. Idd,A: 3 A. Rds(on), Ohm: 4,8.
SSP3N80A МОП-транзистор:THT. N-Channel, 1 Channel, Uds,V: 800 V. Idd,A: 3 A. Rds(on), Ohm: 4,8.
128.80 ₴
MJE18004G
MJE18004G
273.80 ₴
TIP147 Биполярный транзистор - TO-247-3: Тип: PNP: UКЭ(макс): 100 В: IК(макс): 10 А: Pрасс: 125 Вт
TIP147 Биполярный транзистор - TO-247-3: Тип: PNP: UКЭ(макс): 100 В: IК(макс): 10 А: Pрасс: 125 Вт
221.30 ₴
IRF7855PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 60 В: Rси(вкл): 9.4 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В: Qзатв: 26 нКл
IRF7855PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 60 В: Rси(вкл): 9.4 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В: Qзатв: 26 нКл
132.50 ₴
STFU15N80K5 МОП-транзистор N-канальный 800 В, 300 мОм тип 14 А
STFU15N80K5 МОП-транзистор N-канальный 800 В, 300 мОм тип 14 А
372.50 ₴
IPA60R280P6XKSA1 Транзистор MOSFET: N-CH: TO220FP: напряжение 600 В: ток 13.8 А: мощность 32 Вт: сопротивление 280 мОм: заряд 25.5
IPA60R280P6XKSA1 Транзистор MOSFET: N-CH: TO220FP: напряжение 600 В: ток 13.8 А: мощность 32 Вт: сопротивление 280 мОм: заряд 25.5
266.30 ₴
SI4114DY-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 20В, 20А, Idm: 50А, 5,7Вт
SI4114DY-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 20В, 20А, Idm: 50А, 5,7Вт
281.30 ₴
IRL540NSPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 36 А: Rси(вкл): 44...63 мОм: @Uзатв(ном):
IRL540NSPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 36 А: Rси(вкл): 44...63 мОм: @Uзатв(ном):
175 ₴
CRG15T60A83L Транзистор IGBT 600В 15А 96Вт Trench FS III [TO-220]
CRG15T60A83L Транзистор IGBT 600В 15А 96Вт Trench FS III [TO-220]
145 ₴
FDS4480 MOSFET N-CH 40V 10.8A SO8
FDS4480 MOSFET N-CH 40V 10.8A SO8
137.50 ₴
IPN70R750P7SATMA1 Транзистор 700 V, 6.5 A, 6.7 W, 620 mOhms
IPN70R750P7SATMA1 Транзистор 700 V, 6.5 A, 6.7 W, 620 mOhms
178.80 ₴