Prom – найбільший маркетплейс України

2SD1783

Код: 00-00030856
В наличии
95 ₴
Карточка Rozetka
+5%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 500 ₴
Продавец Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
96%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
2SD1783 - фото 1 - id-p3195239101

Характеристики и описание

Основные

Производитель
TOS

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00030856
Корпус транзистораTO220
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic)5 A
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)30 W
Наименование производителя2SD1783
ПолярностьNPN
Предельная температура PN-перехода (Tj)150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe)5000
Тип материалаSi
2SD1783 Транзистор биполярный

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
96% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

6N135 1 channel, THT, 7-50%@16mA. 1Мбит/с. транзисторный, оптрон, 2.5 кВ
6N135 1 channel, THT, 7-50%@16mA. 1Мбит/с. транзисторный, оптрон, 2.5 кВ
52.50 ₴
2SC5030 NPN: Si, 100 W, 15 MHz, 12A, (hFE): 60-320
2SC5030 NPN: Si, 100 W, 15 MHz, 12A, (hFE): 60-320
93.80 ₴
SI2319CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В
SI2319CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В
40 ₴
BCP68.115 Биполярный транзистор - [SOT-223]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 20 В: IК(макс): 2 А: Pрасс: 1.35 Вт: Fгран: 145 МГц: h21:
BCP68.115 Биполярный транзистор - [SOT-223]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 20 В: IК(макс): 2 А: Pрасс: 1.35 Вт: Fгран: 145 МГц: h21:
27.50 ₴
BFQ19SH6327XTSA1 Транзистор: NPN, биполярный, RF, 20В, 120мА, 1Вт, SOT89
BFQ19SH6327XTSA1 Транзистор: NPN, биполярный, RF, 20В, 120мА, 1Вт, SOT89
40 ₴
STP100N8F6 MOSFET силовой транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 80 В: Iс(25°C): 100 А: Rси(вкл): 9 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
STP100N8F6 MOSFET силовой транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 80 В: Iс(25°C): 100 А: Rси(вкл): 9 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
78.80 ₴
MJE3439G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 15 МГц, 15 Вт, 300 мА, 15 hFE
MJE3439G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 15 МГц, 15 Вт, 300 мА, 15 hFE
61.30 ₴
L-93DP3C Фототранзистор: 3мм: Длина волны макс: 940нм: 30В: 30°: Линза: прозрачная
L-93DP3C Фототранзистор: 3мм: Длина волны макс: 940нм: 30В: 30°: Линза: прозрачная
38.80 ₴
IRF7304TRPBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: DUAL P: Uси: 20 В: Iс(25°C): 4.3 А: Rси(вкл): 0.09...0.14 Ом:
IRF7304TRPBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: DUAL P: Uси: 20 В: Iс(25°C): 4.3 А: Rси(вкл): 0.09...0.14 Ом:
77.50 ₴
BD678A Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 40 Вт, -4 А, 750 hFE
BD678A Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 40 Вт, -4 А, 750 hFE
66.30 ₴
BCM62B,216 Биполярные транзисторы - BJT BCM62B/SOT143/50 V
BCM62B,216 Биполярные транзисторы - BJT BCM62B/SOT143/50 V
28.80 ₴
HYG035N10NS2P 100V 180A 220W 3.2mΩ@10V,50A 4V TO-220FB-3L
HYG035N10NS2P 100V 180A 220W 3.2mΩ@10V,50A 4V TO-220FB-3L
73.80 ₴
BDX33C Транзистор: NPN: биполярный: Дарлингтон: 100В: 10А: 70Вт
BDX33C Транзистор: NPN: биполярный: Дарлингтон: 100В: 10А: 70Вт
48.80 ₴
BFG67/X.215 Биполярный транзистор - [TO-253], Тип: NPN, UКЭ(макс): 10 В, IК(макс): 50 мА, Pрасс: 380 мВт, Fгран: 8 ГГц, h21:
BFG67/X.215 Биполярный транзистор - [TO-253], Тип: NPN, UКЭ(макс): 10 В, IК(макс): 50 мА, Pрасс: 380 мВт, Fгран: 8 ГГц, h21:
40 ₴