
| Состояние | Новое |
|---|
| Производитель | T-MAX |
|---|
| Время включения | 47нс |
|---|---|
| Время отключения | 232нс |
| Коллекторный ток | 40А |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±30 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1,2 кВ |
| Платеж через шлюз | 0,21 мкКл |
| Рассеянная мощность | 500 Вт |
| Свойства полупроводниковых элементов | интегрированный антипараллельный диод |
| Случай | Т-Макс |
| Состояние запчастей | Не рекомендуется для новых проектов. |
| Технологии | NPT, POWER MOS 8® |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Ток коллектора импульса | 160А |
| Установка | ТХТ |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1,2 кВ |
| Коллекторный ток | 40А |
| Рассеянная мощность | 500 Вт |
| Случай | Т-Макс |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±30 В |
| Ток коллектора импульса | 160А |
| Установка | ТХТ |
| Платеж через шлюз | 0,21 мкКл |
| Тип упаковки | трубка |
| Свойства полупроводниковых элементов | интегрированный антипараллельный диод |
| Состояние запчастей | Не рекомендуется для новых проектов. |
| Технологии | NPT, POWER MOS 8® |
| Время включения | 47нс |
| Время отключения | 232нс |