Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 283 Вт; TO3P
Код: 4249376208
Под заказ. Отправка с 17.09.2026
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 80 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA133220010000026004340046026
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|
Пользовательские характеристики
| Коллекторный ток | 40А |
|---|---|
| Напряжение затвор-эмиттер | ±30 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 650 В |
| Платеж через шлюз | 0,21 мкКл |
| Рассеянная мощность | 283W |
| Свойства полупроводниковых элементов | интегрированный антипараллельный диод |
| Случай | TO3P |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Ток коллектора импульса | 160А |
| Установка | ТХТ |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 650 В |
| Коллекторный ток | 40А |
| Рассеянная мощность | 283W |
| Случай | TO3P |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±30 В |
| Ток коллектора импульса | 160А |
| Установка | ТХТ |
| Платеж через шлюз | 0,21 мкКл |
| Тип упаковки | трубка |
| Свойства полупроводниковых элементов | интегрированный антипараллельный диод |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
