Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор: IGBT; 360 В; 31 А; 250 Вт; TO220-3; системы зажигания; ESD

Код: 2357496109
Под заказ. Отправка с 22.09.2026
487 ₴
Карточка Rozetka
+5
% бонусов с картой Rozetka
Продавец Zirka
85%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 97 ₴/мес.
    Подробнее
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA133220010000026004340046026
Транзистор: IGBT; 360 В; 31 А; 250 Вт; TO220-3; системы зажигания; ESD - фото 1 - id-p3189248643

Характеристики и описание

ВерсияЭСД
Коллекторный ток31А
Напряжение затвор-эмиттер±10 В
Напряжение коллектор-эмиттер360 В
Платеж через шлюз32нС
Приложениесистемы зажигания
ПроизводительОНСЕМИ
Рассеянная мощность250 Вт
Свойства полупроводниковых элементовлогический уровень
СлучайТО220-3
Тип транзистораИГБТ
Тип упаковкитрубка
УстановкаТХТ
ПроизводительОНСЕМИ
Тип транзистораИГБТ
Напряжение коллектор-эмиттер360 В
Коллекторный ток31А
Рассеянная мощность250 Вт
СлучайТО220-3
Напряжение затвор-эмиттер±10 В
УстановкаТХТ
Платеж через шлюз32нС
Тип упаковкитрубка
Свойства полупроводниковых элементовлогический уровень
ВерсияЭСД
Приложениесистемы зажигания

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Zirka
85% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

PDTA114EU Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 30: R1: 10 Ом: R2: 10 Ом
PDTA114EU Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 30: R1: 10 Ом: R2: 10 Ом
3.50 ₴
BCP54.115 Транзистор, NPN, 45В, 1А, 1.3Вт
BCP54.115 Транзистор, NPN, 45В, 1А, 1.3Вт
12.50 ₴
2N7002T Транзистор: N-MOSFET: полевой: 60В: 0,073А: 0,2Вт
2N7002T Транзистор: N-MOSFET: полевой: 60В: 0,073А: 0,2Вт
5.30 ₴
2N7002WT1G МОП-транзистор, N Канал, 340 мА, 60 В, 1.19 Ом, 10 В, 1 В
2N7002WT1G МОП-транзистор, N Канал, 340 мА, 60 В, 1.19 Ом, 10 В, 1 В
5.30 ₴
2Т608Б. КТ608Б транзистор
2Т608Б. КТ608Б транзистор
290 ₴
AO3402 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 30В: 3,2А: 0,9Вт
AO3402 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 30В: 3,2А: 0,9Вт
7.50 ₴
2N6517BU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 200 МГц, 625 мВт, 20 hFE
2N6517BU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 200 МГц, 625 мВт, 20 hFE
33.80 ₴
2SC4672T100Q Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 2 A 210MHz 500 mW
2SC4672T100Q Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 2 A 210MHz 500 mW
25 ₴
BSS123.215 МОП-транзистор, N Канал, 150 мА, 100 В, 3.5 Ом, 10 В, 2 В
BSS123.215 МОП-транзистор, N Канал, 150 мА, 100 В, 3.5 Ом, 10 В, 2 В
10 ₴
PMBTA42.215 Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 300 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 250 мВт: Fгран: 50 МГц: h21:
PMBTA42.215 Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 300 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 250 мВт: Fгран: 50 МГц: h21:
8.80 ₴
DMN2056U-7 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 20В: 3,7А: 0,94Вт
DMN2056U-7 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 20В: 3,7А: 0,94Вт
11.30 ₴
MUN5111T1G Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 35: R1: 10 кОм: R2: 10 кОм
MUN5111T1G Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 35: R1: 10 кОм: R2: 10 кОм
5 ₴
PUMD12.115 Транзистор: NPN / PNP: биполярный: BRT, комплементарная пара: 50В
PUMD12.115 Транзистор: NPN / PNP: биполярный: BRT, комплементарная пара: 50В
6.30 ₴
MMBF170LT1G MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
MMBF170LT1G MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
12.50 ₴