
| Коллекторный ток | 80А |
|---|---|
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1,2 кВ |
| Платеж через шлюз | 185 нКл |
| Производитель | ИНФАЙНЕОН ТЕХНОЛОГИИ |
| Рассеянная мощность | 483W |
| Свойства полупроводниковых элементов | интегрированный антипараллельный диод |
| Серия производителя | H3 |
| Случай | ТО247-3 |
| Технологии | ТРЕНЧСТОП™ 3 |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Ток коллектора импульса | 160А |
| Установка | ТХТ |
| Производитель | ИНФАЙНЕОН ТЕХНОЛОГИИ |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1,2 кВ |
| Коллекторный ток | 80А |
| Рассеянная мощность | 483W |
| Случай | ТО247-3 |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Ток коллектора импульса | 160А |
| Установка | ТХТ |
| Платеж через шлюз | 185 нКл |
| Тип упаковки | трубка |
| Свойства полупроводниковых элементов | интегрированный антипараллельный диод |
| Серия производителя | H3 |
| Технологии | ТРЕНЧСТОП™ 3 |