
| Производитель | IXYS |
|---|
| Время включения | 104 нс |
|---|---|
| Время отключения | 700 нс |
| Коллекторный ток | 6А |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1,7 кВ |
| Платеж через шлюз | 17нС |
| Рассеянная мощность | 75 Вт |
| Свойства полупроводниковых элементов | высокое напряжение |
| Случай | D3PAK |
| Технологии | BiMOSFET™, FRED |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Ток коллектора импульса | 36А |
| Установка | SMD |
| Производитель | IXYS |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1,7 кВ |
| Коллекторный ток | 6А |
| Рассеянная мощность | 75 Вт |
| Случай | D3PAK |
| Ток коллектора импульса | 36А |
| Установка | SMD |
| Платеж через шлюз | 17нС |
| Тип упаковки | трубка |
| Свойства полупроводниковых элементов | высокое напряжение |
| Технологии | BiMOSFET™, FRED |
| Время включения | 104 нс |
| Время отключения | 700 нс |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |