
| Производитель | IXYS |
|---|
| Время включения | 51нс |
|---|---|
| Время отключения | 132нс |
| Коллекторный ток | 20А |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 650 В |
| Платеж через шлюз | 30 нКл |
| Рассеянная мощность | 200 Вт |
| Случай | ТО263 |
| Технологии | GenX3™, Planar, XPT™ |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Ток коллектора импульса | 105А |
| Установка | SMD |
| Производитель | IXYS |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 650 В |
| Коллекторный ток | 20А |
| Рассеянная мощность | 200 Вт |
| Случай | ТО263 |
| Ток коллектора импульса | 105А |
| Установка | SMD |
| Платеж через шлюз | 30 нКл |
| Тип упаковки | трубка |
| Технологии | GenX3™, Planar, XPT™ |
| Время включения | 51нс |
| Время отключения | 132нс |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |