Транзистор: N-MOSFET; однополярный; 60 В; 270 А; 375 Вт; корпус TO220AB
Код: 406458992
Под заказ. Отправка с 28.09.2026
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 93 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA133220010000026004340046026
Характеристики и описание
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
|---|---|
| Напряжение сток-исток | 60 В |
| Платеж через шлюз | 200 нКл |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | ИНФАЙНЕОН ТЕХНОЛОГИИ |
| Рассеянная мощность | 375 Вт |
| Случай | TO220AB |
| Сопротивление в активном состоянии | 2,5 мОм |
| Технологии | HEXFET® |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | ТХТ |
| ток стока | 270А |
| Производитель | ИНФАЙНЕОН ТЕХНОЛОГИИ |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 60 В |
| ток стока | 270А |
| Рассеянная мощность | 375 Вт |
| Случай | TO220AB |
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Сопротивление в активном состоянии | 2,5 мОм |
| Установка | ТХТ |
| Платеж через шлюз | 200 нКл |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип канала | обогащенный |
| Технологии | HEXFET® |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре