
| Напряжение затвор-исток | ±16 В |
|---|---|
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| Платеж через шлюз | 87нС |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | ИНФАЙНЕОН ТЕХНОЛОГИИ |
| Рассеянная мощность | 370 Вт |
| Свойства полупроводниковых элементов | логический уровень |
| Случай | TO220AB |
| Сопротивление в активном состоянии | 4,3 мОм |
| Технологии | HEXFET® |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | ТХТ |
| ток стока | 180А |
| Производитель | ИНФАЙНЕОН ТЕХНОЛОГИИ |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Технологии | HEXFET® |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| ток стока | 180А |
| Рассеянная мощность | 370 Вт |
| Случай | TO220AB |
| Напряжение затвор-исток | ±16 В |
| Сопротивление в активном состоянии | 4,3 мОм |
| Установка | ТХТ |
| Платеж через шлюз | 87нС |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип канала | обогащенный |
| Свойства полупроводниковых элементов | логический уровень |