
| Производитель | IXYS |
|---|
| Время ожидания | 300 нс |
|---|---|
| Импульсный ток стока | 110А |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Напряжение сток-исток | 1 кВ |
| Платеж через шлюз | 264 нКл |
| Поляризация | униполярный |
| Рассеянная мощность | 694W |
| Случай | СМПД |
| Сопротивление в активном состоянии | 245 мОм |
| Технологии | HiPerFET™, класс Q3 |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Установка | SMD |
| ток стока | 30А |
| Производитель | IXYS |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 1 кВ |
| ток стока | 30А |
| Импульсный ток стока | 110А |
| Рассеянная мощность | 694W |
| Случай | СМПД |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Сопротивление в активном состоянии | 245 мОм |
| Установка | SMD |
| Платеж через шлюз | 264 нКл |
| Тип канала | обогащенный |
| Технологии | HiPerFET™, класс Q3 |
| Время ожидания | 300 нс |