
| Производитель | IXYS |
|---|
| Время ожидания | 145 нс |
|---|---|
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Напряжение сток-исток | 300 В |
| Платеж через шлюз | 170 нКл |
| Поляризация | униполярный |
| Рассеянная мощность | 735 Вт |
| Случай | ТО268 |
| Сопротивление в активном состоянии | 11 мОм |
| Технологии | HiPerFET™, класс X3 |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | SMD |
| ток стока | 120А |
| Производитель | IXYS |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 300 В |
| ток стока | 120А |
| Рассеянная мощность | 735 Вт |
| Случай | ТО268 |
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Сопротивление в активном состоянии | 11 мОм |
| Установка | SMD |
| Платеж через шлюз | 170 нКл |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип канала | обогащенный |
| Технологии | HiPerFET™, класс X3 |
| Время ожидания | 145 нс |