
| Импульсный ток стока | 40А |
|---|---|
| Напряжение затвор-исток | -5...20В |
| Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
| Платеж через шлюз | 26,5 нКл |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | Решения на основе диодов SMC |
| Рассеянная мощность | 121W |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |
| Случай | ПОТЕРИ |
| Сопротивление в активном состоянии | 0,3 Ом |
| Технологии | SiC |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | рулон, лента |
| Установка | SMD |
| ток стока | 12А |
| Производитель | Решения на основе диодов SMC |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
| ток стока | 12А |
| Рассеянная мощность | 121W |
| Случай | ПОТЕРИ |
| Сопротивление в активном состоянии | 0,3 Ом |
| Установка | SMD |
| Платеж через шлюз | 26,5 нКл |
| Напряжение затвор-исток | -5...20В |
| Тип упаковки | рулон, лента |
| Импульсный ток стока | 40А |
| Технологии | SiC |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |
| Тип канала | обогащенный |