
| Импульсный ток стока | 66А |
|---|---|
| Напряжение затвор-исток | -5...20В |
| Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
| Платеж через шлюз | 29,6 нКл |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | Решения на основе диодов SMC |
| Рассеянная мощность | 153W |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |
| Случай | D2PAK-7 |
| Сопротивление в активном состоянии | 212 мОм |
| Технологии | SiC |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | SMD |
| ток стока | 15А |
| Производитель | Решения на основе диодов SMC |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
| ток стока | 15А |
| Рассеянная мощность | 153W |
| Случай | D2PAK-7 |
| Сопротивление в активном состоянии | 212 мОм |
| Установка | SMD |
| Платеж через шлюз | 29,6 нКл |
| Напряжение затвор-исток | -5...20В |
| Тип упаковки | трубка |
| Импульсный ток стока | 66А |
| Технологии | SiC |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |
| Тип канала | обогащенный |