Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярный; 650 В; 110 А; Idm: 220 А; 490 Вт

Код: 3597854805
Под заказ. Отправка с 16.09.2026

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 153 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA133220010000026004340046026
Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярный; 650 В; 110 А; Idm: 220 А; 490 Вт - фото 1 - id-p3189242440

Характеристики и описание

Основные

Производитель
SMT

Пользовательские характеристики

Импульсный ток стока220А
Напряжение затвор-исток-5...18В
Напряжение сток-исток650 В
Платеж через шлюз240 нКл
Поляризацияуниполярный
Рассеянная мощность490 Вт
Свойства полупроводниковых элементовОхлаждение верхней части SMT-панели, распиновка по Кельвину.
СлучайTO247-4-TSC
Сопротивление в активном состоянии25 мОм
ТехнологииSiC
Тип каналаобогащенный
Тип транзистораN-МОП-транзистор
Тип упаковкитрубка
УстановкаSMD
ток стока110А
ПроизводительВЕЧНЫЙ СВЕТ
Тип транзистораN-МОП-транзистор
Поляризацияуниполярный
Напряжение сток-исток650 В
ток стока110А
Импульсный ток стока220А
Рассеянная мощность490 Вт
СлучайTO247-4-TSC
Напряжение затвор-исток-5...18В
Сопротивление в активном состоянии25 мОм
УстановкаSMD
Платеж через шлюз240 нКл
Тип упаковкитрубка
Тип каналаобогащенный
ТехнологииSiC
Свойства полупроводниковых элементовОхлаждение верхней части SMT-панели, распиновка по Кельвину.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Zirka
85% положительных отзывов