
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
|---|---|
| Напряжение сток-исток | 200 В |
| Поляризация | униполярный |
| Рассеянная мощность | 190 Вт |
| Случай | D2PAK |
| Сопротивление в активном состоянии | 34 мОм |
| Технологии | STripFET™ II |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | рулон, лента |
| Установка | SMD |
| ток стока | 75А |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 200 В |
| ток стока | 75А |
| Рассеянная мощность | 190 Вт |
| Случай | D2PAK |
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Сопротивление в активном состоянии | 34 мОм |
| Установка | SMD |
| Тип упаковки | рулон, лента |
| Тип канала | обогащенный |
| Технологии | STripFET™ II |