Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярный; 1,2 кВ; 75 А; Idm: 250 А; 576 Вт

Код: 3211930947
Под заказ. Отправка с 14.11.2026
1 628.43 ₴
1 751 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA133220010000026004340046026
Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярный; 1,2 кВ; 75 А; Idm: 250 А; 576 Вт - фото 1 - id-p3189242404
Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярный; 1,2 кВ; 75 А; Idm: 250 А; 576 Вт, Импульсный ток стока - 250А, Напряжение затвор-исток - -4...18В, Напряжение сток-исток - 1,2 кВ, Платеж через шлюз - 287нС, Поляризация - униполярный

Характеристики и описание

Импульсный ток стока250А
Напряжение затвор-исток-4...18В
Напряжение сток-исток1,2 кВ
Платеж через шлюз287нС
Поляризацияуниполярный
ПроизводительРешения на основе диодов SMC
Рассеянная мощность576W
Свойства полупроводниковых элементовВывод Кельвина
СлучайТ2ПАК
Сопротивление в активном состоянии25 мОм
ТехнологииSiC
Тип каналаобогащенный
Тип транзистораN-МОП-транзистор
Тип упаковкитрубка
УстановкаSMD
ток стока75А
ПроизводительРешения на основе диодов SMC
Тип транзистораN-МОП-транзистор
Поляризацияуниполярный
Напряжение сток-исток1,2 кВ
ток стока75А
Импульсный ток стока250А
Рассеянная мощность576W
СлучайТ2ПАК
Напряжение затвор-исток-4...18В
Сопротивление в активном состоянии25 мОм
УстановкаSMD
Платеж через шлюз287нС
Тип упаковкитрубка
Тип каналаобогащенный
ТехнологииSiC
Свойства полупроводниковых элементовВывод Кельвина

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
Zirka
83% положительных отзывов