Транзистор: N-МОП-транзистор; Карбид кремния; однополярный; 1,7кВ; 4А; Там же: 8А; 54 Вт
Код: 2783201373
Под заказ. Отправка с 16.09.2026
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 145 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA133220010000026004340046026
Характеристики и описание
| Импульсный ток стока | 8А |
|---|---|
| Напряжение затвор-исток | -5...20В |
| Напряжение сток-исток | 1,7 кВ |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | Полупроводник GeneSiC |
| Рассеянная мощность | 54W |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |
| Случай | ТО263-7 |
| Сопротивление в активном состоянии | 1 Ом |
| Технологии | G2R™, SiC |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | SMD |
| ток стока | 4А |
| Производитель | Полупроводник GeneSiC |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 1,7 кВ |
| ток стока | 4А |
| Рассеянная мощность | 54W |
| Случай | ТО263-7 |
| Напряжение затвор-исток | -5...20В |
| Сопротивление в активном состоянии | 1 Ом |
| Установка | SMD |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип канала | обогащенный |
| Импульсный ток стока | 8А |
| Технологии | G2R™, SiC |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
