
| Коллекторный ток | 60А |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | транзистор |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Случай | SEMITOP4 |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 150А |
| Топология | 3-фазный мост на IGBT-транзисторах, терморезистор |
| Электромонтаж | Впрессовываемая печатная плата |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | транзистор |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Коллекторный ток | 60А |
| Случай | SEMITOP4 |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Электромонтаж | Впрессовываемая печатная плата |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Ток коллектора импульса | 150А |
| Механическая сборка | закрученный |
| Топология | 3-фазный мост на IGBT-транзисторах, терморезистор |