Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумостовой IGBT, терморезистор
Код: 2858616260
Под заказ. Отправка с 23.10.2026
52 144.17 ₴
56 069 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 5214 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA133220010000026004340046026
Характеристики и описание
Основные атрибуты
| Тип | Модуль |
|---|
Пользовательские характеристики
| Коллекторный ток | 600А |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | транзистор |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Случай | SEMiX® 4s |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 1,2 кА |
| Топология | Полумостовая схема на основе IGBT, терморезистор |
| Электромонтаж | Запрессовываемый, привинчиваемый |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | транзистор |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Коллекторный ток | 600А |
| Случай | SEMiX® 4s |
| Электромонтаж | Запрессовываемый, привинчиваемый |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Ток коллектора импульса | 1,2 кА |
| Механическая сборка | закрученный |
| Топология | Полумостовая схема на основе IGBT, терморезистор |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
