Модуль: IGBT; один транзистор; максимальное напряжение: 900 В; ток: 27 А; корпус SOT227B
Код: 4146539385
Под заказ. Отправка с 17.09.2026
4 976 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 498 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA133220010000026004340046026
Характеристики и описание
| Коллекторный ток | 27А |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 900 В |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±30 В |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Рассеянная мощность | 284 Вт |
| Случай | SOT227B |
| Технологии | POWER MOS 7® |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Ток коллектора импульса | 160А |
| Электромонтаж | закрученный |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Максимальное обратное напряжение. | 900 В |
| Коллекторный ток | 27А |
| Случай | SOT227B |
| Электромонтаж | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±30 В |
| Ток коллектора импульса | 160А |
| Механическая сборка | закрученный |
| Тип упаковки | трубка |
| Рассеянная мощность | 284 Вт |
| Технологии | POWER MOS 7® |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
