Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумостовой IGBT, терморезистор
Код: 1485931509
Под заказ. Отправка с 25.10.2026
18 931.08 ₴
20 356 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 1893 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA133220010000026004340046026
Характеристики и описание
Основные атрибуты
| Тип | Модуль |
|---|
Пользовательские характеристики
| Коллекторный ток | 300А |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | транзистор |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Случай | SEMIX2S |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 900А |
| Топология | Полумостовая схема на основе IGBT, терморезистор |
| Электромонтаж | Запрессовываемый, привинчиваемый |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | транзистор |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Коллекторный ток | 300А |
| Случай | SEMIX2S |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Электромонтаж | Запрессовываемый, привинчиваемый |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Ток коллектора импульса | 900А |
| Механическая сборка | закрученный |
| Топология | Полумостовая схема на основе IGBT, терморезистор |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
