
| Тип | Модуль |
|---|
| Коллекторный ток | 35А |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | диод/транзистор |
| Производитель | Звездный полупроводник |
| Случай | Л3.0 |
| Технологии | Advanced Trench FS IGBT |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 70А |
| Топология | повышающий преобразователь, трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT-мост с выходом OE, терморезистор NTC. |
| Электромонтаж | Впрессовываемая печатная плата |
| Производитель | Звездный полупроводник |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | диод/транзистор |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Коллекторный ток | 35А |
| Случай | Л3.0 |
| Электромонтаж | Впрессовываемая печатная плата |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Ток коллектора импульса | 70А |
| Механическая сборка | закрученный |
| Топология | повышающий преобразователь, трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT-мост с выходом OE, терморезистор NTC. |
| Технологии | Advanced Trench FS IGBT |