
| Тип | Модуль |
|---|
| Версия | Т2 |
|---|---|
| Коллекторный ток | 35А |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | диод/транзистор |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Случай | SEMITOP2 |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 105А |
| Топология | Ускорительный вертолет |
| Электромонтаж | Впрессовываемая печатная плата |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | диод/транзистор |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Коллекторный ток | 35А |
| Случай | SEMITOP2 |
| Электромонтаж | Впрессовываемая печатная плата |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Ток коллектора импульса | 105А |
| Механическая сборка | закрученный |
| Топология | Ускорительный вертолет |
| Версия | Т2 |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |