
| Коллекторный ток | 15А |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | диод/транзистор |
| Производитель | ИНФАЙНЕОН ТЕХНОЛОГИИ |
| Рассеянная мощность | 130 Вт |
| Случай | AG-EASY1B-1 |
| Технологии | EasyPIM™ 1B |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 30А |
| Топология | 3-фазный диодный мост, 3-фазный мост на IGBT-транзисторах, терморезистор NTC |
| Электромонтаж | Впрессовываемая печатная плата |
| Производитель | ИНФАЙНЕОН ТЕХНОЛОГИИ |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | диод/транзистор |
| Случай | AG-EASY1B-1 |
| Электромонтаж | Впрессовываемая печатная плата |
| Рассеянная мощность | 130 Вт |
| Механическая сборка | закрученный |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Коллекторный ток | 15А |
| Топология | 3-фазный диодный мост, 3-фазный мост на IGBT-транзисторах, терморезистор NTC |
| Технологии | EasyPIM™ 1B |
| Ток коллектора импульса | 30А |