Модуль: IGBT; диод/транзистор; повышающий преобразователь; максимальное напряжение: 1,2 кВ; ток: 35 А
Код: 3077809222
Под заказ. Отправка с 10.10.2026
10 782 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 1078 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA133220010000026004340046026
Характеристики и описание
Основные атрибуты
| Тип | Модуль |
|---|
Пользовательские характеристики
| Власть | 11 кВт |
|---|---|
| Коллекторный ток | 35А |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | диод/транзистор |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Случай | MiniSKiiP® 2 |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 105А |
| Топология | повышающий преобразователь, трехфазный диодный мост, трехфазный мост на IGBT-транзисторах, терморезистор NTC. |
| Электромонтаж | Прессовая посадка |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | диод/транзистор |
| Случай | MiniSKiiP® 2 |
| Электромонтаж | Прессовая посадка |
| Механическая сборка | закрученный |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Власть | 11 кВт |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Коллекторный ток | 35А |
| Топология | повышающий преобразователь, трехфазный диодный мост, трехфазный мост на IGBT-транзисторах, терморезистор NTC. |
| Ток коллектора импульса | 105А |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
![DS1302+ RTC - [DIP-8]: Интерфейс: 3-Wire: Память: 31 Байт: Напряжение: 2...5 В: Т раб: -40...85 °C:](https://images.prom.ua/7725587052_w200_h200_ds1302-rtc-.jpg)
