
| Коллекторный ток | 88А |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | транзистор |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Случай | ПОЛУТРАНС2 |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 430А |
| Топология | полумост на основе IGBT |
| Электромонтаж | Соединители FASTON, винтовые |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | транзистор |
| Случай | ПОЛУТРАНС2 |
| Электромонтаж | Соединители FASTON, винтовые |
| Механическая сборка | закрученный |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Коллекторный ток | 88А |
| Топология | полумост на основе IGBT |
| Ток коллектора импульса | 430А |