
| Версия | Д93 |
|---|---|
| Коллекторный ток | 80А |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | транзистор |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Случай | SEMITRANS2N |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 150А |
| Топология | полумост на основе IGBT |
| Электромонтаж | Соединители FASTON, винтовые |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | транзистор |
| Случай | SEMITRANS2N |
| Электромонтаж | Соединители FASTON, винтовые |
| Механическая сборка | закрученный |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Коллекторный ток | 80А |
| Топология | полумост на основе IGBT |
| Версия | Д93 |
| Ток коллектора импульса | 150А |