
| Тип | Модуль |
|---|
| Власть | 4 кВт |
|---|---|
| Коллекторный ток | 15А |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | диод/транзистор |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Случай | MiniSKiiP® 1 |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Топология | понижающий преобразователь, трехфазный диодный мост, трехфазный мост на IGBT-транзисторах, терморезистор |
| Электромонтаж | Прессовая посадка |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | диод/транзистор |
| Случай | MiniSKiiP® 1 |
| Электромонтаж | Прессовая посадка |
| Механическая сборка | закрученный |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Власть | 4 кВт |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Коллекторный ток | 15А |
| Топология | понижающий преобразователь, трехфазный диодный мост, трехфазный мост на IGBT-транзисторах, терморезистор |