
| Импульсный ток стока | 520А |
|---|---|
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Напряжение сток-исток | 300 В |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Рассеянная мощность | 700 Вт |
| Случай | ИЗОТОП |
| Сопротивление в активном состоянии | 19 мОм |
| Технологии | POWER MOS V® |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Тип упаковки | трубка |
| Электромонтаж | закрученный |
| ток стока | 130А |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Напряжение сток-исток | 300 В |
| ток стока | 130А |
| Случай | ИЗОТОП |
| Электромонтаж | закрученный |
| Поляризация | униполярный |
| Сопротивление в активном состоянии | 19 мОм |
| Импульсный ток стока | 520А |
| Рассеянная мощность | 700 Вт |
| Технологии | POWER MOS V® |
| Тип канала | обогащенный |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Механическая сборка | закрученный |
| Тип упаковки | трубка |