
| Производитель | IXYS |
|---|
| Время ожидания | 300 нс |
|---|---|
| Импульсный ток стока | 110А |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-исток | ±40 В |
| Напряжение сток-исток | 1 кВ |
| Платеж через шлюз | 264 нКл |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Рассеянная мощность | 960 Вт |
| Случай | SOT227B |
| Сопротивление в активном состоянии | 0,22 Ом |
| Технологии | HiPerFET™, класс Q3 |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Электромонтаж | закрученный |
| ток стока | 38А |
| Производитель | IXYS |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Напряжение сток-исток | 1 кВ |
| ток стока | 38А |
| Случай | SOT227B |
| Электромонтаж | закрученный |
| Поляризация | униполярный |
| Сопротивление в активном состоянии | 0,22 Ом |
| Импульсный ток стока | 110А |
| Рассеянная мощность | 960 Вт |
| Технологии | HiPerFET™, класс Q3 |
| Тип канала | обогащенный |
| Напряжение затвор-исток | ±40 В |
| Механическая сборка | закрученный |
| Платеж через шлюз | 264 нКл |
| Время ожидания | 300 нс |