
| Импульсный ток стока | 240А |
|---|---|
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-исток | -5...15В |
| Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | Полупроводник GeneSiC |
| Рассеянная мощность | 365 Вт |
| Случай | SOT227B |
| Сопротивление в активном состоянии | 20 мОм |
| Технологии | G3R™, SiC |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Электромонтаж | закрученный |
| ток стока | 74А |
| Производитель | Полупроводник GeneSiC |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
| ток стока | 74А |
| Случай | SOT227B |
| Электромонтаж | закрученный |
| Поляризация | униполярный |
| Сопротивление в активном состоянии | 20 мОм |
| Импульсный ток стока | 240А |
| Рассеянная мощность | 365 Вт |
| Технологии | G3R™, SiC |
| Тип канала | обогащенный |
| Напряжение затвор-исток | -5...15В |
| Механическая сборка | закрученный |