
| Производитель | IXYS |
|---|
| Время ожидания | 200 нс |
|---|---|
| Импульсный ток стока | 250А |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Напряжение сток-исток | 500 В |
| Платеж через шлюз | 240 нКл |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Рассеянная мощность | 1,04 кВт |
| Случай | SOT227B |
| Сопротивление в активном состоянии | 49 мОм |
| Технологии | HiPerFET™ |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Электромонтаж | закрученный |
| ток стока | 75А |
| Производитель | IXYS |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Напряжение сток-исток | 500 В |
| ток стока | 75А |
| Случай | SOT227B |
| Электромонтаж | закрученный |
| Поляризация | униполярный |
| Сопротивление в активном состоянии | 49 мОм |
| Рассеянная мощность | 1,04 кВт |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Механическая сборка | закрученный |
| Время ожидания | 200 нс |
| Импульсный ток стока | 250А |
| Платеж через шлюз | 240 нКл |
| Технологии | HiPerFET™ |
| Тип канала | обогащенный |