
| Производитель | IXYS |
|---|
| Время ожидания | 190 нс |
|---|---|
| Импульсный ток стока | 650А |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Напряжение сток-исток | 300 В |
| Платеж через шлюз | 375 нС |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Рассеянная мощность | 695 Вт |
| Случай | SOT227B |
| Сопротивление в активном состоянии | 4,6 мОм |
| Технологии | HiPerFET™, класс X3 |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Электромонтаж | закрученный |
| ток стока | 210А |
| Производитель | IXYS |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Напряжение сток-исток | 300 В |
| ток стока | 210А |
| Случай | SOT227B |
| Электромонтаж | закрученный |
| Поляризация | униполярный |
| Сопротивление в активном состоянии | 4,6 мОм |
| Рассеянная мощность | 695 Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Механическая сборка | закрученный |
| Время ожидания | 190 нс |
| Импульсный ток стока | 650А |
| Платеж через шлюз | 375 нС |
| Технологии | HiPerFET™, класс X3 |
| Тип канала | обогащенный |