
| Производитель | IXYS |
|---|
| Время ожидания | 130 нс |
|---|---|
| Импульсный ток стока | 900А |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| Платеж через шлюз | 525нС |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Рассеянная мощность | 830 Вт |
| Случай | SOT227B |
| Сопротивление в активном состоянии | 2,6 мОм |
| Технологии | GigaMOS™, HiPerFET™ |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Электромонтаж | закрученный |
| ток стока | 360А |
| Производитель | IXYS |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| ток стока | 360А |
| Случай | SOT227B |
| Электромонтаж | закрученный |
| Поляризация | униполярный |
| Сопротивление в активном состоянии | 2,6 мОм |
| Рассеянная мощность | 830 Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Механическая сборка | закрученный |
| Время ожидания | 130 нс |
| Импульсный ток стока | 900А |
| Платеж через шлюз | 525нС |
| Технологии | GigaMOS™, HiPerFET™ |
| Тип канала | обогащенный |