
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|
| Количество каналов | 1 |
|---|---|
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 1,5 кВт |
| Максимальный импульсный ток. | 120А |
| Полупроводниковая структура | двусторонняя |
| Пробивное напряжение | 35 В |
| Свойства полупроводниковых элементов | РБО |
| Случай | D2PAK |
| Технологии | ASD™ |
| Тип диода | Лестница TVS |
| Ток утечки | 0,1 мА |
| Установка | SMD |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип диода | Лестница TVS |
| Пробивное напряжение | 35 В |
| Полупроводниковая структура | двусторонняя |
| Установка | SMD |
| Случай | D2PAK |
| Количество каналов | 1 |
| Свойства полупроводниковых элементов | РБО |
| Ток утечки | 0,1 мА |
| Максимальный импульсный ток. | 120А |
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 1,5 кВт |
| Технологии | ASD™ |