
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 0,15 кВт |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 10 В |
| Максимальный импульсный ток. | 8.9А |
| Полупроводниковая структура | Одностороннее движение |
| Пробивное напряжение | 11,1 В |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Размеры тела | Ø2,16x6,35 мм |
| Тип диода | ТВС |
| Ток утечки | 2 мкА |
| Установка | ТХТ |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Тип диода | ТВС |
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 0,15 кВт |
| Максимальное обратное напряжение. | 10 В |
| Пробивное напряжение | 11,1 В |
| Максимальный импульсный ток. | 8.9А |
| Полупроводниковая структура | Одностороннее движение |
| Размеры тела | Ø2,16x6,35 мм |
| Установка | ТХТ |
| Ток утечки | 2 мкА |