
| Допуск | ±5% |
|---|---|
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 1,5 кВт |
| Максимальное обратное напряжение. | 6В |
| Максимальный импульсный ток. | 145.6А |
| Полупроводниковая структура | двусторонняя |
| Пробивное напряжение | 6,67 В |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Случай | DO214AB |
| Тип диода | ТВС |
| Ток утечки | 1 мА |
| Установка | SMD |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Тип диода | ТВС |
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 1,5 кВт |
| Максимальное обратное напряжение. | 6В |
| Пробивное напряжение | 6,67 В |
| Максимальный импульсный ток. | 145.6А |
| Полупроводниковая структура | двусторонняя |
| Случай | DO214AB |
| Установка | SMD |
| Ток утечки | 1 мА |
| Допуск | ±5% |