
| Допуск | ±5% |
|---|---|
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 3 кВт |
| Максимальное обратное напряжение. | 16 В |
| Максимальный импульсный ток. | 115.4А |
| Полупроводниковая структура | Одностороннее движение |
| Пробивное напряжение | 17,8 В |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Случай | DO214AB |
| Тип диода | ТВС |
| Ток утечки | 2 мкА |
| Установка | SMD |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Тип диода | ТВС |
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 3 кВт |
| Максимальное обратное напряжение. | 16 В |
| Пробивное напряжение | 17,8 В |
| Максимальный импульсный ток. | 115.4А |
| Полупроводниковая структура | Одностороннее движение |
| Случай | DO214AB |
| Установка | SMD |
| Ток утечки | 2 мкА |
| Допуск | ±5% |