
| Допуск | ±5% |
|---|---|
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 3 кВт |
| Максимальное обратное напряжение. | 5 В |
| Максимальный импульсный ток. | 326А |
| Полупроводниковая структура | Одностороннее движение |
| Пробивное напряжение | 6,4 В |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Случай | DO215AB |
| Тип диода | ТВС |
| Тип упаковки | рулон, лента |
| Ток утечки | 1 мА |
| Установка | SMD |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Тип диода | ТВС |
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 3 кВт |
| Максимальное обратное напряжение. | 5 В |
| Пробивное напряжение | 6,4 В |
| Максимальный импульсный ток. | 326А |
| Полупроводниковая структура | Одностороннее движение |
| Случай | DO215AB |
| Установка | SMD |
| Ток утечки | 1 мА |
| Тип упаковки | рулон, лента |
| Допуск | ±5% |