
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 30 кВт |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 78В |
| Максимальный импульсный ток. | 0,24 кА |
| Полупроводниковая структура | Одностороннее движение |
| Пробивное напряжение | 86,7...95,8 В |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Случай | ПЛАД |
| Тип диода | ТВС |
| Ток утечки | 10 мкА |
| Установка | SMD |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Тип диода | ТВС |
| Максимальная мощность, рассеиваемая в импульсе. | 30 кВт |
| Максимальное обратное напряжение. | 78В |
| Пробивное напряжение | 86,7...95,8 В |
| Максимальный импульсный ток. | 0,24 кА |
| Полупроводниковая структура | Одностороннее движение |
| Случай | ПЛАД |
| Установка | SMD |
| Ток утечки | 10 мкА |