К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов
SiC-MOSFET 650V 30A 0R045 HiP247-4
Код: 1933777449
760 ₴
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|
Пользовательские характеристики
| EAN/GTIN | 9900004360012 |
|---|---|
| Id | 30 А |
| Ptot | 240 Вт |
| RDS (вкл.) | 45 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 650 V |
| td (off) | 29.6 |
| td (on) | 13 |
| Вес | 0,008 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | SCT040W65G3-4AG |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | SiC |
| Мoдель | STPOWER SiC G3 |
| Плата за обратное восстановление | 37,5 нК |
| Температурный диапазон | -55..+200 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Форма монтажа | HiP247-4 |
Автомобільний карбід-кремнієвий силовий MOSFET 650 В, типовий опір 45 мОм, 30 А в корпусі HiP247-4
Dieser SiC-Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovative SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Bauelement zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen Kapazitäten und einer sehr hohen Schaltfrequenz, was die Anwendungsleistung
in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz sowie eine Verringerung von Systemgröße und Gewicht verbessert.
| Генерал | |
| Модель | STPOWER SiC G3 |
| Дизайн | Неодружений |
| Форма кріплення | HiP247-4 |
| Кваліфікація | AEC-Q101 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Електричні показники | |
| УДС | 650 В |
| Ідентифікатор | 30 A |
| RDS (увімкнено) | 45 мОм |
| Загальна кількість | 240 W |
| тд (увімкнено) | 13 |
| тд (вимкнено) | 29.6 |
| Зворотне стягнення | 37,5 нКл |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+200 |
| Реалізація | |
| Матеріал | SiC |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | СТМІКРОЕЛЕКТРОНІКС |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
