N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Vdss = 50 В; RDS(ON) = 3.5Ω @ VGS = 10 V; RDS(ON) = 6.0Ω @ VGS = 4.5 V.
Характеристики
| Корпус | SOT23 |
| Структура | N |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік | 50 V |
| Vgs - напруга затвор-витік | ±20 V |
| Id25 - постійний струм стоку при 25°C | 0.2 А |
| Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=10V | 3.5 Ом |
| Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=5V | 6 Ом |
| VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон) | 0.5 ... 1.5 V |
| Потужність розсіювання при 25°C | 0.225 Вт |