Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

Транзистор SiHF22N60E-GE3

Код: 034033
Недоступен
82.83 ₴
Транзистор SiHF22N60E-GE3 - фото 1 - id-p3143904456

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Vishay Intertechnology

Пользовательские характеристики

Id25 - постійний струм стоку при 25°C21 А
Id75(100) - постійний струм стоку при 75(100)°C13 А
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=10V0.15 Ом
V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік600 V
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон)2 ... 4 V
Vgs - напруга затвор-витік±30 V
КорпусTO220F
Потужність розсіювання при 25°C, Вт35
Стандартне пакування50 шт
СтруктураN
Схема з'єднанняОдиночний
Тип пакуванняТуба

Характеристики
КорпусTO220F
СтруктураN
Схема з'єднанняОдиночний
V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік600 V
Vgs - напруга затвор-витік±30 V
Id25 - постійний струм стоку при 25°C21 А
Id75(100) - постійний струм стоку при 75(100)°C13 А
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=10V0.15 Ом
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон)2 ... 4 V
Потужність розсіювання при 25°C35 Вт
Тип пакуванняТуба
Стандартне пакування50 шт

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

KPC354NT0ATLD Опто транзистор x1 3.75kV 80V 0.05A Кус=20...400% 0.17W -55...+115C
KPC354NT0ATLD Опто транзистор x1 3.75kV 80V 0.05A Кус=20...400% 0.17W -55...+115C
66.30 ₴
IRF624PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 250 В: Iс(25°C): 14 А: Rси(вкл): 1.1 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRF624PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 250 В: Iс(25°C): 14 А: Rси(вкл): 1.1 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
97.50 ₴
BSP125H6327XTSA1 Транзистор: полевой, МОП n-канальный: 600В: 120мА: SOT223
BSP125H6327XTSA1 Транзистор: полевой, МОП n-канальный: 600В: 120мА: SOT223
46.30 ₴
IRLL110TRPBF MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]: Примечание: N-KANAL POWER MOSFET SMD LOGIC LEVEL
IRLL110TRPBF MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]: Примечание: N-KANAL POWER MOSFET SMD LOGIC LEVEL
48.80 ₴
AO7800 Транзистор: N-MOSFET x2: полевой: 20В: 0,7А: 190мВт
AO7800 Транзистор: N-MOSFET x2: полевой: 20В: 0,7А: 190мВт
35 ₴
2SB1050
2SB1050
51.30 ₴
IRF820APBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRF820APBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
65 ₴
IRFI634G MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 250 В: Iс(25°C): 22 А: Rси(вкл): 0.45 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFI634G MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 250 В: Iс(25°C): 22 А: Rси(вкл): 0.45 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
62.50 ₴
NSS40300MZ4T1G Биполярный транзистор - SOT-223: Тип: PNP: UКЭ(макс): 40 В: UКЭ(пад): 400 мВ: IК(макс): 3 А
NSS40300MZ4T1G Биполярный транзистор - SOT-223: Тип: PNP: UКЭ(макс): 40 В: UКЭ(пад): 400 мВ: IК(макс): 3 А
58.80 ₴
STD1NK60T4 Полевой транзистор N CH 600 В 1 А DPAK
STD1NK60T4 Полевой транзистор N CH 600 В 1 А DPAK
58.80 ₴
IRFU320PBF MOSFET силовой транзистор - [IPAK (TO-251)]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс(25°C): 12 А: Rси(вкл): 1.8 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFU320PBF MOSFET силовой транзистор - [IPAK (TO-251)]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс(25°C): 12 А: Rси(вкл): 1.8 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
75 ₴
ZVN4206AVSTZ Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,6А, 0,7Вт, TO92
ZVN4206AVSTZ Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,6А, 0,7Вт, TO92
81.30 ₴
YJD60N04A 40V 60A 5.4mΩ@10V,20A 54W 1.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs
YJD60N04A 40V 60A 5.4mΩ@10V,20A 54W 1.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs
46.30 ₴
IRF820PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRF820PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
76.30 ₴