Модуль помех (jammer) GaN N-type, 800-900 MHz, 100W

Модуль перешкод (Jammer) GaN N-type 800-900 МГц, 100 Вт — это высокомощный широкополосный радиочастотный усиливающий модуль, построенный на современных GaN-транзисторах (Galium Nitride). Он обеспечивает высокую выходную мощность, эффективность и стабильную работу в диапазоне 800-900   МГц при непрерывном режиме эксплуатации при условии надлежащего охлаждения.

Благодаря использованию технологии GaN модуль имеет значительно более высокий КПД, меньше тепловыделение и лучшую устойчивость к высоким нагрузкам по сравнению с традиционными LDMOS-решениями. Оснащен разъемом N-type, который обеспечивает надежное подключение антенны или высокочастотного тракта с минимальными потерями сигнала.

Модуль изготовлен на алюминиевом основании для эффективного отвода тепла и требует установки на соответствующий радиатор или систему активного охлаждения.

• Рабочий диапазон частот 800-900  МГц.
• Высокая выходная мощность до 100 Вт.
• Современная GaN технология с высоким КПД.
• Стабильная работа при длительном нагрузке.
• Низкий уровень тепловыделения относительно с традиционными усилителями.
• Надежный высокочастотный разъем N-type.
• Прочный алюминиевый корпус для эффективного охлаждения.
• Простая интегрировка в соответствующие радиочастотные системы.

• Тип изделия: высокочастотный GaN модуль
• Рабочий диапазон частот:800-900   МГц
• Максимальная выходная мощность: 100 Вт
• Тип усилителя: GaN (Gallium Nitride)
• Выходной разъем: N-type
• Питание: постоянное напряжение (соответствие спецификации производителя)
• Режим работы: непрерывный (при условии эффективного охлаждения)
• Материал основания: алюминиевый теплоотвод
• Охлаждение: пассивное или активное (рекомендуется)
• Монтаж: винтовое крепление

• Модуль GaN N-type 800-900   МГц, 100 Вт – 1 шт.

Примечание: Для стабильной и долговечной работы модуль необходимо устанавливать на массивный радиатор с применением термоинтерфейса. При работе на максимальной мощности рекомендуется использовать систему активного охлаждения.