NCE30TD60BD IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25 . 17 nS. 106 pF. 132 nC.
Код: 00-00076412
В наличии
142.50 ₴
Заказ у продавца — от 500 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта, Укрпочта
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Артикул | 00-00076412 |
|---|---|
| Время нарастания _x000D_ типовое | 17 nS |
| Выходная емкость, _x000D_ типовая | 106 pF |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность | 190 W |
| Максимальная _x000D_ температура перехода | 150 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор | 30 V |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер | 6 V |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора | 60 A @25℃ |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер типовое | 1.7 V @25℃ |
| Общий заряд затвора, _x000D_ typ | 132 nC |
| Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
| Тип транзистора | IGBT + Diode |
| Тип управляющего _x000D_ канала | N |
NCE30TD60BD Транзистор IGBT
IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
Был online: Вчера
LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
97% положительных отзывов
![SPA17N80C3 MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.29 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:](https://images.prom.ua/7473146863_w200_h200_spa17n80c3-mosfet-silovoj.jpg)
