Prom – найбільший маркетплейс України

NCE20TD60BF IGBT + Diode, N, 34.5 W, 600 V, 1.7 V @25 , 16 nS, 48 pF, 97 nC.

Код: 00-00076408
В наличии
96.25 
Заказ у продавца — от 500 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
NCE20TD60BF IGBT + Diode, N, 34.5 W, 600 V, 1.7 V @25 , 16 nS, 48 pF, 97 nC. - фото 1 - id-p3084049751

Характеристики и описание

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00076408
Время нарастания _x000D_ типовое16 nS
Выходная емкость, _x000D_ типовая48 pF
Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность34.5 W
Максимальная _x000D_ температура перехода150 ℃
Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор30 V
Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер6 V
Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора40 A @25℃
Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер типовое1.7 V @25℃
Общий заряд затвора, _x000D_ typ97 nC
Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер600 V
Тип транзистораIGBT + Diode
Тип управляющего _x000D_ каналаN
NCE20TD60BF Транзистор IGBT
IGBT + Diode, N, 34.5 W, 600 V, 1.7 V @25℃, 16 nS, 48 pF, 97 nC.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре