Prom – найбільший маркетплейс України

BFU730F,115 RF Bipolar Transistors NPN 55 GHz:5 mA:197 mW:10 V

Код: 00-00071800
В наличии
47.50 ₴
Заказ у продавца — от 500 ₴
Продавец LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
97%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
BFU730F,115 RF Bipolar Transistors NPN 55 GHz:5 mA:197 mW:10 V - фото 1 - id-p3081877287

Характеристики и описание

Основные

Производитель
NXP Semiconductors

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00071800
Вид монтажаSMD/SMT
Коэффициент усиления _x000D_ по постоянному току (hFE), макс.555
Напряжение _x000D_ коллектор-база (VCBO)10 V
Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO), макс.2.8 V
Напряжение _x000D_ эмиттер-база (VEBO)1 V
Непрерывный _x000D_ коллекторный ток5 mA
Рабочая частота55 GHz
ТехнологияSiGe
Тип транзистораBipolar
BFU730F,115 Биполярный ВЧ транзистор
RF Bipolar Transistors NPN 55 GHz:5 mA:197 mW:10 V

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
97% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

IRFP3006PBF Транзистор MOSFET N-CH 60В 195A
IRFP3006PBF Транзистор MOSFET N-CH 60В 195A
461.25 ₴
Транзистор A1535A
Транзистор A1535A
50 ₴
86 ₴
IRG4PC50UDPBF 600V 55A 200W
IRG4PC50UDPBF 600V 55A 200W
595 ₴
BC817-25 (6B) транзистор NPN 45В 0.8А SOT23
BC817-25 (6B) транзистор NPN 45В 0.8А SOT23
1.0 (1)
1.09 ₴
Транзистор B598
Транзистор B598
20 ₴
42 ₴
SIHP15N50E-BE3 N-Channel 500 V 14.5A (Tc) 156W (Tc)
SIHP15N50E-BE3 N-Channel 500 V 14.5A (Tc) 156W (Tc)
651.25 ₴
FGA15N120ANTDTU-F109 IGBT транзистор, 30 А, 2.3 В, 186 Вт, 1.2 кВ
FGA15N120ANTDTU-F109 IGBT транзистор, 30 А, 2.3 В, 186 Вт, 1.2 кВ
521.25 ₴
STP14NK50ZFP MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 14 А: Rси(вкл): 0.38 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
STP14NK50ZFP MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 14 А: Rси(вкл): 0.38 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
396.25 ₴
BUX48A Биполярный транзистор - TO-3, Тип: NPN, UКЭ(макс): 450 В, IК(макс): 15 А, Pрасс: 55 Вт
BUX48A Биполярный транзистор - TO-3, Тип: NPN, UКЭ(макс): 450 В, IК(макс): 15 А, Pрасс: 55 Вт
1 430 ₴
FDP18N50 MOSFET транзистор - TO-220-3, Тип: N, Uси: 500 В, Iс(25°C): 18 А, Rси(вкл): 0.265 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 45 нКл
FDP18N50 MOSFET транзистор - TO-220-3, Тип: N, Uси: 500 В, Iс(25°C): 18 А, Rси(вкл): 0.265 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 45 нКл
393.75 ₴
Транзистор B686
Транзистор B686
90 ₴
122 ₴
MBQ40T120FESTH IGBT транзистор, Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В, Коллекторный ток: 80А, Рассеиваемая мощность: 357Вт
MBQ40T120FESTH IGBT транзистор, Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В, Коллекторный ток: 80А, Рассеиваемая мощность: 357Вт
390 ₴
IPW60R099P6XKSA1 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 600В: 37,9А: 278Вт
IPW60R099P6XKSA1 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 600В: 37,9А: 278Вт
1 900 ₴
FDP025N06 Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220]
FDP025N06 Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220]
433.75 ₴