Prom – найбільший маркетплейс України

SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой: P Channel: Drain Source Voltage Vds:-60V: On Resistance Rds(on):285mohm: Rds(on) Test Voltage

Код: 00-00051186
В наличии
16.25 
Заказ у продавца — от 500 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой: P Channel: Drain Source Voltage Vds:-60V: On Resistance Rds(on):285mohm: Rds(on) Test Voltage - фото 1 - id-p3080487552

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Vishay Intertechnology

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Id - непрерывный ток утечки1.2 A
Pd - рассеивание мощности1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток345 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Артикул00-00051186
Вид монтажаSMD/SMT
Время нарастания35 ns
Время спада35 ns
Канальный режимEnhancement
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
КонфигурацияSingle
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура- 55 C
Полярность транзистораP-Channel
ТипSOT-23-3
Типичное время задержки выключения15 ns
Типичное время задержки при включении40 ns
SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор полевой: P Channel: Drain Source Voltage Vds:-60V: On Resistance Rds(on):285mohm: Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V: Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов